전기의 역사 정리하기 - 전력기기, 전자회로 소자

 

1820년 : 전동기의 기원 / 엘스테드 

               전류에 의한 자기작용의 발견

 

1831년 : 변압기의 기원 / 패러데이

               전자유도의 발견

 

 

발전기

- 1832년 : 프랑스의 빅시 - 수동식 직류발전기 발명

                 영구자석을 회전하여 자속을 변화시켜 코일에 발생하는 유도기전력을 직류전압으로 얻는 것

- 1866년 : 독일의 지멘스 - 자려식의 직류발전기 발명

- 1869년 : 벨기에의 그램 - 환상 전기자형 발전기 발명 / 1874 3.2kW 출력을 얻게 됨

- 1882년 : 미국의 고튼 - 2상 방식 발전기 / 출력 447kW, 높이 3m, 22ton 발전기 제작

- 1896년 : 테슬러 - 2상 방식 / 나이아가라 발전소에 가동 / 출력 3,750kW, 5,000V를 40km 떨어진 버팔로시에 송전

- 1889년 : 웨스팅하우스사 - 오리건주 발전소 건설 - 1892년 15,000V를 비츠필에 송전하는데 성공

 

전동기

- 1834년 : 러스아의 아코비 - 전자석에 의한 직류전동기를 시험, 제작

- 1838년 : 전지 320개의 전원으로 전동기를 회전시켜 배를 주행시킴

- 1836년 : 미국의 다벤포트나 영국의 데비드슨 - 직류 전동기 만들어 인쇄기의 동력으로 사용했으나 전원이 전지였기에 널리 보급되지 않음

- 1887년 : 테슬러 2상 전동기 - 유도 전동기로서 실용화

- 1897년 : 웨스팅하우스 - 유도 전동기를 제작, 회사 설립하여 전동기 보급

 

변압기

- ELETRCI TRANSFORMER

- 전파가 유도현상을 이용하여 교류의 전압이나 전류의 값을 변화시키는 장치

- 교류 전력을 보내는 경우 교류 전압을 승압하여 수용가가 이용하는 경우에 보내 온 교류 전압을 강압하는데 필수적

- 1831년 : 패러데이 - 자기가 전기로 변환 되는 것을 발견

- 1882년 : 영국의 깁스 - <조명용, 동력용 전기배분방식> 특허 - 개자로식 변압기를 배전용에 이용하는 것

 

전력기기와 3상 교류 기술

- 2상 교류는 4개의 전선을 사용하는 기술

- 독일의 도브로윌스키 : 권선을 연구하여 120º씩 각도를 변경한 3개의 점에서 분기선을 내어 3상 교류 발생

- 이 3상 교류에 의한 회전자계를 사용하여 1889년 출력 100W의 최초의 3상 교류전동기를 제작했다.

- 같은 해 도브로윌스키는 3상 4선식 교류 결선 방식을 연구하여 1891년 프랑크프루트의 송전실험을 성공

 

 

 

 

진공관

- 2극관 -> 3극관 -> 4극관 -> 5극관의 순서로 발명

 

2극관

- 에디슨효과 : 에디슨 - 전구의 필라멘트에서 전자가 방출

- 1904년 : 영국의 프레밍 - 에디슨 효과에서 힌트를 얻어 2극관 발명

 

3극관

- 1907년 : 미국의 드 포르스트는 3극관 발명

- 개량을 거듭하는 과정에서 3극관에 증폭작용이 있는 것을 발견, 일렉트로닉스 시대의 개막

- 발진기는 마르코니의 불꽃장치에서 3극관에 의한 발진기로 되어있음

- 3극관은 3개의 전극이 있으며 플레이트와 캐소드 및 그 사이에 제어 그리드를 설치하여 캐소드에서의 전자률르 그리드로 제어하는 구조

 

4극관

- 1915년 : 영국의 라운드 - 3극관의 그리드와 플레이트 사이에 또 하나의 전극을 설치하여 플레이트에 흐르는 전자류이 일부가 제어 그리드로 돌아 오지 않도록 연구

 

5극관

- 1927년 : 독일의 오브스트 - 4극관에서 전자류가 플레이트에 충돌하면 플레이트에서 2차 전지가 방출되므로 이것을 억제하기 위한 억제 그리드를 플레이트와 차폐 그리드 사이에 설치한 5극관 발명

- 1934년 : 미국의 톰프슨 - 진공관의 크기를 소형으로 하여 초단파용으로 개량한 에이콘관

 

트랜지스터

- 반도체 소자를 대별하면 트랜지스터, 집적회로(IC)

- 1948년 : 미국의 벨 연구소 (쇼크레이, 바딘, 브라텐)

                 불순물이 적은 게르마늄 반도체의 표면에 2개의 금속침을 접촉시키는 구조로 점적촉형 트랜지스터라고 함

- 1949년 : 접합형 트랜지스터가 개발되어 실용화

- 1956년 : 반도체의 표면에 불순물 원자를 고온으로 침투 -> P형이나 N형 반도체를 만드는 확산법 개발

- 1960년 : 실리콘 결정을 수소가스와 할로전화를 가스 중에 놓고 반도체를 만드는 엑피택시얼 성장법 -> 에피택시얼 플레이너형 트랜지스터

 

직접회로

- 1956년 : 영구의 다머 - 트랜지스터의 원리로부터 집적회로의 출현 예상

- 1958년 : 미국 - 모든 회로소자를 반도체로 만들어 집적회로화 제안

- 1961년 : 텍사스인스트루먼트사 - 집적회로의 양산 시작

                 하나의 기능을 가진 회로를 반도체 결정 중에 매입하는 개념의 소자 - 소형화, 신뢰성 향상